Показано, что в спектрах ФЛ модифицированных лазерным излучением кристаллов GaAs независимо от типа примесей и их концентрации в исходном кристалле обнаруживается D-полоса с энергией максимума 1.42 эВ (77 K). Температурные зависимости основных параметров D-полосы, несмотря на количественные различия, качественно совпадают. Это дает основание полагать, что появление D-полосы связано с образованием структурных дефектов самого кристалла GaAs при лазерной обработке и не зависит от примеси легирования исходного кристалла.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.