"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Поведение остаточной примеси Li в высокоомном теллуриде кадмия при кратковременном отжиге
Бабенцов В.Н.1, Горбань С.И.1, Жовнир Г.И.1, Рашковецкий Л.В.1
1Институт полупроводников АН УССР, Киев
Выставление онлайн: 20 марта 1991 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.