"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование распределений E-центров на границе областей пространственного заряда при отжиге облученных диодов Шоттки
Болотов В.В.1, Стучинский В.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Выставление онлайн: 20 марта 1991 г.

Изучены распределения E-центров в зонном кремнии, формирующиеся при отжиге предварительно облученных быстрыми электронами обратно смещенных диодов Шоттки Au-n-Si. Обнаружено, что на границе области пространственного заряда (ОПЗ) и квазинейтрального объема (КО) образуется пик концентрации E-центров, свидетельствующий о переносе дефектов (E-центров или вакансий) из ОПЗ в КО. Получено, что длина переноса дефектов в ОПЗ за 15 мин прогрева при 135oC достигает ~0.5 мкм, в то время как в КО она не превосходит 0.15 мкм.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.