"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование рекомбинационно-ускоренного отжига радиационных дефектов в кремнии
Абдуллин Х.А.1, Мукашев Б.Н.1, Тамендаров М.Ф.1
1Институт физики высоких энергий АН КазССР, Алма-Ата
Выставление онлайн: 20 марта 1991 г.

Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследованы образцы кремния p-типа проводимости, облученные alpha-частицами. Облучение проводилось в интервале температур 77-350 K. Обнаружены дефект E2=Ec-(0.39± 0.02) эВ, а при оптическом возбуждении --- дефект E3=Ec-(0.25± 0.05) эВ. Дефекты E2 и E3 --- междоузельного типа, подвержены интенсивному инжекционному отжигу, скорость отжига слабо менялась в интервале температур 77-300 K. Поведение дефектов E2 и E3 в зависимости от условий облучения и отжига позволяет предположить, что они являются соответственно двух- и однозарядными состояниями собственного междоузельного атома. Исследование процесса отжига междоузельных атомов углерода Ci и их перехода в K-центр показывает, что процесс идет с образованием метастабильного состояния, которое, так же как и центр Ci, подвержено инжекционному отжигу.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.