"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фрактально-диффузионные p-n-переходы в кремнии
Баграев Н.Т.1, Клячкин Л.Е.1, Маляренко А.М.1, Суханов В.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 марта 1991 г.

Исследованы процессы легирования кремния бором в условиях kick-out и диссоциативного вакансионного механизмов диффузии. Путем варьирования характеристик поверхности был установлен критерий доминирования одного или другого диффузионных механизмов, благодаря чему были обнаружены условия их паритета, при которых наблюдается торможение диффузии. Это позволило реализовать квантово-размерные p-n-переходы фрактального типа, обладающие высокой внешней квантовой эффективностью в широком спектральном диапазоне и низкими темновыми токами утечки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.