"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние процессов аннигиляции точечных дефектов на рост скоплений междоузельных атомов при облучении кристаллов Si и Ge электронами в высоковольтном электронном микроскопе
Асеев А.Л.1, Денисенко С.Г.1, Федина Л.И.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Выставление онлайн: 20 марта 1991 г.

Проведен анализ кинетики роста скоплений междоузельных атомов в виде 113-дефектов в кристаллах Si и Ge на стационарной стадии роста при облучении в высоковольтном электронном микроскопе (ВЭМ). При рассмотрении реакций между точечными дефектами и стоками для них в кристалле в квазихимическом приближении показано, что расчетные и экспериментальные значения скорости роста 113-дефектов отличаются на несколько порядков. Проведен анализ реакций, определяющих стационарное значение концентраций точечных дефектов, из которого следует, что реакция аннигиляции генетически связанных пар Френкеля является доминирующей в условиях интенсивного облучения в ВЭМ. Из сравнения расчетных и экспериментальных значений скорости роста 113-дефектов на стационарной стадии проведена оценка коэффициента разделения генетически связанных пар, который составляет 10-3/ 10-4.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.