Изучена прямая ветвь ВАХ (в интервале 77-410 K) в поверхностно-барьерных структурах на основе слабо легированных эпитаксиальных слоев арсенида галлия с концентрацией электронов 3· 10¹⁵ см^-3, выращенных на низкоомных подложках. Для таких структур при высоких температурах (300-410 K), как и следовало ожидать, наблюдается ток термоэлектронной эмиссии, а при низких температурах (77-270 K), вопреки ожидаемому, обнаружен ток туннельного типа, обусловленный, по-видимому, дефектами, возникшими в эпитаксиальном слое при выращивании на сильно легированной подложке.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.