"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние облучения электронами на физические свойства легированных германием монокристаллов кремния
Дашевский М.Я., Корляков Д.Н., Ладыгин Е.А., Мусалитин А.М., Шилин Б.А.
Выставление онлайн: 19 ноября 1990 г.

Исследованы бездислокационные монокристаллы кремния, легированного германием (NGe=1020 см-3) и нелегированного, n- и p-типа проводимости, выращенные по методу Чохральского в направлении < 111>. Концентрации фосфора или бора составили ~1014 и и 1015 см-3 в монокристаллах соответственно n- и p-типа. Полученные монокристаллы подвергали облучению быстрыми электронами (E=6 МэВ) потоками D=5·1012-1017 см-2, а затем изохронному отжигу в течение 30 мин в температурном интервале 200-1000oC. Обнаружено, что процессы образования радиационных дефектов в монокристаллах кремния, легированного германием, протекают не так, как в нелегированном кремнии. Введение германия в монокристаллический кремний несколько снижает его радиационную чувствительность и способствует восстановлению (после отжига) времени жизни неосновных носителей заряда в облученном материале.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.