Исследованы бездислокационные монокристаллы кремния, легированного германием (N_Ge=10²⁰ см^-3) и нелегированного, n- и p-типа проводимости, выращенные по методу Чохральского в направлении < 111>. Концентрации фосфора или бора составили ~10¹⁴ и и 10¹⁵ см^-3 в монокристаллах соответственно n- и p-типа. Полученные монокристаллы подвергали облучению быстрыми электронами (E=6 МэВ) потоками D=5·10¹²-10¹⁷ см^-2, а затем изохронному отжигу в течение 30 мин в температурном интервале 200-1000^oC. Обнаружено, что процессы образования радиационных дефектов в монокристаллах кремния, легированного германием, протекают не так, как в нелегированном кремнии. Введение германия в монокристаллический кремний несколько снижает его радиационную чувствительность и способствует восстановлению (после отжига) времени жизни неосновных носителей заряда в облученном материале.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.