"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Образование позитронно-чувствительных дефектов в процессе термообработки кремния в хлорсодержащей атмосфере
Арутюнов Н.Ю., Соболев Н.А., Тращаков В.Ю., Шек Е.И.
Выставление онлайн: 19 сентября 1990 г.

Проведены измерения угловых распределений аннигиляционных фотонов (УРАФ) для кристаллографических направлений <111>, <110> и <100> бездислокационного бестигельного кремния, подвергнутого термообработке при 1050 и 1250oС в хлорсодержащей атмосфере (ХСА). Обнаружено образование позитронно-чувствительных дефектов. На основе полученных результатов выдвинута гипотеза об образовании дефектов вакансионного типа, в состав которых могут входить атомы кислорода. Полученные данные измерений УРАФ, по-видимому, можно рассматривать как прямое" подтверждение существования обогащенной вакансиями приповерхностной области кремния, образующейся в процессе его термообработки в ХСА.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.