"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О механизмах образования фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si : H
Звягин И.П., Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н.
Выставление онлайн: 19 сентября 1990 г.

Исследована кинетика фотоиндуцированных изменений фотопроводимости нелегированных отожженных и предварительно освещенных пленок a-Si : H в широком интервале температур. Обсуждаются механизмы образования метастабильных оборванных связей. Полученные результаты свидетельствуют о наличии как мономолекулярного активационного процесса (для отожженных пленок), который можно связать с захватом электронов или дырок на состояния слабых связей Si-Si в хвостах соответствующих зон, так и бимолекулярного безактивационного процесса (для предварительно освещенных пленок), связанного с захватом электрона и дырки на состояния одной и той же слабой связи Si-Si.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.