"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование структур с блокированной прыжковой проводимостью гидрогенизацией кремния, легированного галлием
Болотов В.В., Камаев Г.Н., Феофанов Г.Н., Эмексузян В.М.
Выставление онлайн: 19 сентября 1990 г.

Исследовалось влияние гидрогенизации на электрофизические свойства кремния p-типа, легированного галлием (NGa~ 5· 1017 см-3). Обнаружено подавление при гидрогенизации прыжковой проводимости с прыжками между ближайшими соседними атомами галлия, которая наблюдается при температурах 8/30 K. Изучены электрофизические характеристики структур с блокированной прыжковой проводимостью, созданных пассивацией примеси галлия атомарным водородом. Проведены расчет вольт-амперных характеристик (ВАХ) структур и сопоставление расчетных и экспериментальных ВАХ в диапазоне температур 8/ 30 K, определены электропроводность элементов структуры (объема, слоя), степень компенсации материала, термическая стабильность структур при изохронном отжиге в диапазоне температур 120/ 300oС.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.