Методами емкостной спектроскопии и фотопроводимости исследованы электронные состояния дефектов, обусловленных дислокациями в сульфиде кадмия. Обнаружено, что дефекты, сопровождающие как ростовые, так и введенные пластической деформацией дислокации в сульфиде кадмия, обладают метастабильными свойствами: в зависимости от условий начального заполнения уровней альтернативно проявляются два электронных состояния, различающихся по энергиям термической и оптической ионизации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.