Вышедшие номера
Фотохимическая перестройка глубоких центров в кремнии, легированном селеном
Адилов К.А., Турсунов Ш.С.
Выставление онлайн: 20 августа 1990 г.

Методами нестационарной емкостной спектроскопии (DLTS) и фотолюминесценции исследованы процессы фотохимической перестройки глубоких центров в p-Si : Se. Обнаружен распад донорно-акцепторной пары SeB0, сопровождающийся ростом концентраций изолированных центров Se с энергиями ионизации Ec-0.5 и Ec-0.25 эВ. Обсужден возможный механизм перестройки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.