Впервые теоретически и экспериментально исследована винтовая неустойчивость (осциллистор) в варизонных полупроводниках. Рассчитаны критерии возбуждения и частота колебаний винтовых волн в зависимости от уровня легирования и градиента ширины запрещенной зоны. Изучено влияние магнитоконцентрационного эффекта на поведение осциллистора. Наряду с осцилляциями тока обнаружены колебания мощности положительной и отрицательной люминесценции, наблюдаемой со стороны широкозонной части полупроводниковой структуры Cd_xHg_1-xTe.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.