Методом оптической поляризации ядерных моментов (ОПЯ) исследовались процессы генерации и отжига точечных дефектов, индуцированных геттерирующими микродефектами в кремнии n-типа. Были определены концентрации мелких и глубоких точечных дефектов, ответственных за электрофизические характеристики кристалла в зависимости от условий совмещенного геттерирования. Обнаружено, что глубокие точечные дефекты стимулируют резкое снижение времени жизни неравновесных носителей при образовании пар с мелкими донорами (E_c-0.08 эВ), индуцированными потенциалом деформации геттерирующих микродефектов. Управляя потоками первичных дефектов, генерируемых поверхностью кристалла на различных стадиях совмещенного генерирования, можно значительно уменьшить концентрации мелких и глубоких точечных дефектов, индуцированных геттерирующими микродефектами, при сохранении эффективности генерирования, что позволяет улучшить характеристики полупроводниковых приборов и делает возможным реализацию малошумящих мелких p-n-переходов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.