Рассмотрены одно-, двух- и трехфотонные межзонные оптические переходы в легированных непрямозонных полупроводниках, обусловленные резонансным рассеянием на короткодействующей части примесного потенциала. Исследуются ситуации, когда примесный потенциал создает дискретное состояние в запрещенной зоне либо квазидискретное состояние в разрешенной зоне. Получены дисперсии вероятностей одно-, двух- и трехфотонных переходов вблизи порога фундаментального поглощения. Показано, что эти процессы значительно эффективнее процессов с рассеянием на дальнодействующей кулоновской части примесного потенциала.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.