"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Моделирование переноса электронов в реальном пространстве гетероструктуры GaAs/AlxGa1-xAs (для малых и больших значений x)
Вагидов Н.З., Грибников З.С., Иващенко В.М.
Выставление онлайн: 20 мая 1990 г.

Решена задача о транспорте горячих электронов вдоль многослойной селективно-легированной гетероструктуры GaAs/AlxGa1-xAs с резкими переходами в заданном продольном электрическом поле с учетом самосогласованного перераспределения электронов и электростатического потенциала между слоями и в пределах слоев. Расчеты выполнены не только для традиционных гетеропар с долей Al x<0.45, но и для структур с x=0.8. В традиционном случае показано, что пиковые дрейфовые скорости электронов могут быть как выше таковых для чистого GaAs, так и ниже их (в зависимости от x и от толщин слоев). Отношение же пиковой скорости к минимальной в случае гетеропар всегда выше. Особенно велико оно при больших значениях x, когда перенос в реальном пространстве становится также и междолинным Gamma X-переносом на гетерогранице. Исследована инерционность установления стационарных состояний.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.