С использованием емкостных методов изучено дефектообразование в кремнии и на границе раздела Si-SiO₂ при облучении осколками деления ²⁵²Cf. Показано, что по глубине образца наблюдаются два пика в распределении дефектов, соответствующих пробегам легких и тяжелых осколков. Изучена кинетика введения и определены параметры основных радиационных дефектов в n- и p-кремнии. Показано, что спектр основных радиационных дефектов при облучении осколками деления практически не отличается от спектра дефектов, вводимых при других видах облучения. Изучена термическая стабильность образующихся дефектов. Установлено, что закономерности изменения электрофизических свойств кремния, облученного осколками деления, могут быть описаны только с учетом локализации дефектов в областях скоплений. Анализ экспериментальных данных позволил оценить параметры областей скоплений: размер ядра области ~1300/ 1400 Angstrem, число дефектов в ней ~ 10⁴-10⁵, эффективность введения областей ~10³-10⁴ см^-1. Показано, что облучение осколками деления вплоть до потоков, приводящих к компенсации объема ~20 %, не приводит к увеличению плотности состояний на границе Si-SiO₂ и величины заряда в диэлектрике.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.