"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Проводимость n-Hg1-xCdxTe в магнитных полях, превышающих поле перехода металл-диэлектрик
Аронзон Б.А., Арапов Ю.Г., Зверева М.Л., Никитин М.С., Цидильковский И.М., Чумаков Н.К.
Выставление онлайн: 19 марта 1990 г.

Измерены гальваномагнитные эффекты на образцах n-Hg0.8Cd0.2Te в интервале температур 1.36 =< T =< 25 K и в магнитных полях до 6 T. Наблюдавшиеся особенности проводимости в сильных магнитных полях объясняются для одной группы образцов наличием в кристаллах n-Hg0.8Cd0.2Te взаимопроникающих кластеров n- и p-типа, а для другой --- прыжковым характером проводимости носителей заряда, локализованных во флуктуационных ямах примесного потенциала. При исследовании МДП структур из образцов с взаимопроникающими кластерами установлено, что проводимость объемных образцов в сильных магнитных полях не связана с поверхностной проводимостью.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.