"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние эффектов легирования на экситоны, связанные с нейтральными донорами, в 6H-SiC
Крохмаль А.П., Кошеленко В.П.
Выставление онлайн: 19 марта 1990 г.

Измерением спектральных контуров R01- и S01-линий поглощения экситонов, связанных с нейтральными донорами (азотом), в 6H-SiC при T=4.5 K установлено, что с ростом ND-NA их длинноволновые крылья асимметрично деформируются с образованием характерного длинноволнового хвоста", причем в отличие от аналогичных линий I2 в CdS максимумы линий смещаются в длинноволновую сторону. Эта особенность спектров поглощения объясняется эффектом Штарка, невозмущенным эффектом экранирования, на экситонах, связанных с нейтральными донорами, в поле заряженных примесей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.