"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском
Алфёров Ж.И., Иванов С.В., Копьев П.С., Леденцов Н.Н., Луценко М.Э., Мельцер Б.Я., Неменов М.И., Устинов В.М., Шапошников С.В.
Выставление онлайн: 20 декабря 1989 г.

Показано, что важнейшие характеристики квантово-размерных (Al, Ga) As ДГС РО лазеров с широким полоском (плотность порогового тока, дифференциальная эффективность, длина волны генерации) в существенной степени определяются эффектами растекания неравновесных носителей из области полоска либо их поверхностной рекомбинацией на его боковых гранях. При малых длинах резонаторов существенную роль может играть также поверхностная рекомбинация на зеркалах. В случаях, когда влияние поверхностной рекомбинации уменьшено, поверхностная плотность тока квантово-размерных ДГС РО лазеров с широким полоском с нелегированной активной областью может быть уменьшена до 43 А/см2 (300 K, L = 2400 мкм). Умышленное легирование активной области приводит к относительному уменьшению роли поверхностной рекомбинации, однако увеличивает внутренние потери.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.