"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Гальваномагнитные эффекты в сплаве p-Pb1-xSnxTe (x=0.2), облученном электронами
Брандт Н.Б., Скипетров Е.П., Слынько Е.И., Хорош А.Г., Штанов В.И.
Выставление онлайн: 20 декабря 1989 г.

Исследовано влияние электронного облучения (T ~ 300 К, E=6 МэВ, Phi =< 8.3· 1017 см-2) на электрофизические свойства p-Pb1-xSnxTe (x=0.2). Обнаружены уменьшение концентрации дырок и скорости изменения концентрации дырок при облучении, а также нелинейность нолевых зависимостей холловского напряжения в облученных образцах. Полученные в работе результаты объяснены в предположении возникновения при облучении зоны резонансных состояний вблизи потолка валентной зоны сплава, мягко" стабилизирующей уровень Ферми в облученных образцах. Проанализированы возможные модели энергетического спектра сплава Pb1-xSnxTe (x= 0.2), облученного электронами. В рамках предложенных моделей рассчитаны параметры зоны резонансных состояний, индуцированной электронным облучением в энергетическом спектре p-Pb1-xSnxTe (x=0.2).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.