Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Модель акцептора Sn_As в GaAs в условиях внешней деформации и магнитного поля

Осипов Е.Б.¹, Воронов О.В.¹, Костин И.В.¹, Осипова Н.А.¹, Сорокина Н.О.¹

¹Череповецкий государственный педагогический институт им. А.В. Луначарского, Череповец, Россия

Поступила в редакцию: 27 апреля 1995 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.

PDF версия

Объясняются пьезоспектроскопические и магнитооптические свойства центра Sn_As в GaAs на основе модели, предполагающей возникновение у акцептора Sn_As двух близко лежащих Gamma₈-уровней в запрещенной зоне. В данной работе модель акцепторного центра Sn_As развита на случай связывания акцептором экситона с линией рекомбинационного излучения 1.507 эВ в поле внешней деформации и магнитном поле. Полученные пьезоспектроскопические и магнитооптические зависимости удовлетворительно согласуются с экспериментальными.

W. Schairer, D. Bimberg, W. Kottler, K. Cho, M. Schmidt. Phys. Rev. B, 13, 34 (1976)
И.В. Костин, Е.Б. Осипов, Н.А. Осипова, Деп. в ВИНИТИ 08.02.94, N 341-B94 (Череповецкий гос. пед. ин-т, Череповец, 1994)
В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. \it Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. \it Квантовая механика. Нерелятивистская теория. (М., Наука, 1989)
Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. \it Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель