Модель акцептора Sn As в GaAs в условиях внешней деформации и магнитного поля
Осипов Е.Б.1, Воронов О.В.1, Костин И.В.1, Осипова Н.А.1, Сорокина Н.О.1
1Череповецкий государственный педагогический институт им. А.В. Луначарского, Череповец, Россия
Поступила в редакцию: 27 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.
Объясняются пьезоспектроскопические и магнитооптические свойства центра Sn As в GaAs на основе модели, предполагающей возникновение у акцептора Sn As двух близко лежащих Gamma8-уровней в запрещенной зоне. В данной работе модель акцепторного центра Sn As развита на случай связывания акцептором экситона с линией рекомбинационного излучения 1.507 эВ в поле внешней деформации и магнитном поле. Полученные пьезоспектроскопические и магнитооптические зависимости удовлетворительно согласуются с экспериментальными.
- W. Schairer, D. Bimberg, W. Kottler, K. Cho, M. Schmidt. Phys. Rev. B, 13, 34 (1976)
- И.В. Костин, Е.Б. Осипов, Н.А. Осипова, Деп. в ВИНИТИ 08.02.94, N 341-B94 (Череповецкий гос. пед. ин-т, Череповец, 1994)
- В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. \it Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. \it Квантовая механика. Нерелятивистская теория. (М., Наука, 1989)
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. \it Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук