Вышедшие номера
Электронный перенос в бесщелевых полупроводниках, легированных как пространственно коррелированными, так и неупорядоченными примесями
Цидильковский И.М.1, Кулеев И.Г.1, Леринман Н.К.1, Лончаков А.Т.1, Сабирзянова Л.Д.1, Паранчич С.Ю.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 29 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.

Измерены проводимость, эффект Холла и поперечный эффект Нернста-Эттингсгаузена на образцах HgSe:Fe,Ga с различным содержанием примесей железа и галлия. В области больших концентраций железа N Fe=(1-2)· 1019 см-3 степень упорядочения системы ионов Fe3+ при увеличении концентрации галлия N Ga уменьшается, и, следовательно, уменьшается и подвижность электронов. При N Fe=5· 1018 см-3 эффект Нернста-Эттингсгаузена, более чувствительный к механизму рассеяния электронов, чем величина их подвижности, возрастает с увеличением N Ga до ~=3· 1018 см-3. Проанализированы механизмы рассеяния электронов в кристаллах HgSe:Fe,Ga. Показано, что хаотически распределенные ионы Ga могут приводить как к усилению, так и к ослаблению рассеяния электронов коррелированно расположенными ионами Fe3+. Обнаружен и проанализирован обратный эффект: наличие порядка в системе ионов Fe3+ ослабляет рассеяние электронов неупорядоченной совокупностью ионов галлия.