Профили распределения имплантированного бериллия в полупроводниковых соединениях A IIIB V
Кольцов Г.И.1, Макаров В.В.1, Юрчук С.Ю.1
1Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 22 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.
Представлены результаты изучения и моделирования профилей распределения бериллия в ионно-легированных слоях GaAs и InP после имплантации, термического и быстрого термического отжигов. Обсуждаются возможности теоретических расчетов пробегов бериллия в соединениях AIIIBV. Рассмотрено влияние дефектно-примесного взаимодействия на процесс диффузии бериллия в GaAs и InP. Установлено наличие потока примеси к поверхности, имеющего недиффузионную природу.
- J.P. Biersack, L.G. Haggmark. Nucl. Instrum. Meth., 174, 257 (1980)
- J.F. Ziegler. \it Ion implantation: science and technology (Orlando, 1984)
- Г.И. Кольцов, В.В. Макаров. ФТП, 25, 373 (1991)
- \it МОП СБИС моделирование элементов и технологических процессов (М., Радио и связь, 1988)
- M.D. Deal, H.G. Robinson. Appl. Phys. Lett., 55, 996 (1989)
- M.D. Deal, S.E. Hansen. T.W. Sigmon. IEEE Trans. Comp. Aid Des., 8, 939 (1989)
- P. Enquist, G.W. Wick, L.F. Eastman, C. Hitzman. J. Appl. Phys., 58, 4130 (1985)
- A.F. Burenkov, F.F. Komarov, S.A. Fedotov. Rad. Eff. Def. Sol., 155, 45 (1990)
- Г.И. Кольцов, А.И. Коротаев, В.С. Куликаускас, Е.А. Ладыгин, Ф.А. Заитов. Поверхность. Физика, химия, механика, N 12, 150 (1987)
- S.J. Pearton, R. Hull, D.C. Jacobson, J.M. Poate. Appl. Phys. Lett., 48, 38 (1986)
- Г.И. Кольцов, С.Ю. Юрчук, Ю.И. Кунакин. Электрон. техн., сер. 6, N 3, 52 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
