"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Профили распределения имплантированного бериллия в полупроводниковых соединениях A IIIB V
Кольцов Г.И.1, Макаров В.В.1, Юрчук С.Ю.1
1Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 22 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.

Представлены результаты изучения и моделирования профилей распределения бериллия в ионно-легированных слоях GaAs и InP после имплантации, термического и быстрого термического отжигов. Обсуждаются возможности теоретических расчетов пробегов бериллия в соединениях AIIIBV. Рассмотрено влияние дефектно-примесного взаимодействия на процесс диффузии бериллия в GaAs и InP. Установлено наличие потока примеси к поверхности, имеющего недиффузионную природу.
  1. J.P. Biersack, L.G. Haggmark. Nucl. Instrum. Meth., 174, 257 (1980)
  2. J.F. Ziegler. \it Ion implantation: science and technology (Orlando, 1984)
  3. Г.И. Кольцов, В.В. Макаров. ФТП, 25, 373 (1991)
  4. \it МОП СБИС моделирование элементов и технологических процессов (М., Радио и связь, 1988)
  5. M.D. Deal, H.G. Robinson. Appl. Phys. Lett., 55, 996 (1989)
  6. M.D. Deal, S.E. Hansen. T.W. Sigmon. IEEE Trans. Comp. Aid Des., 8, 939 (1989)
  7. P. Enquist, G.W. Wick, L.F. Eastman, C. Hitzman. J. Appl. Phys., 58, 4130 (1985)
  8. A.F. Burenkov, F.F. Komarov, S.A. Fedotov. Rad. Eff. Def. Sol., 155, 45 (1990)
  9. Г.И. Кольцов, А.И. Коротаев, В.С. Куликаускас, Е.А. Ладыгин, Ф.А. Заитов. Поверхность. Физика, химия, механика, N 12, 150 (1987)
  10. S.J. Pearton, R. Hull, D.C. Jacobson, J.M. Poate. Appl. Phys. Lett., 48, 38 (1986)
  11. Г.И. Кольцов, С.Ю. Юрчук, Ю.И. Кунакин. Электрон. техн., сер. 6, N 3, 52 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.