Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1996, выпуск 10 » Статья стр. 1838
<<<>>>
Подавление эффекта оттеснения эмиттерного тока в оже-транзисторах
Белов С.В.1, Векслер М.И.1, Грехов И.В.1, Шулекин А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.
PDF версия
Исследовано подавление эффекта оттеснения эмиттерного тока в оже-транзисторе с туннельным МОП эмиттером на основе структуры Al/SiO2/n-Si. Выравнивание потенциала индуцированной базы вдоль эмиттера происходит за счет внутреннего источника неосновных носителей - оже-ионизации, вызываемой инжектируемыми электронами. Для количественного объяснения эффекта сделано предположение о более низкой подвижности дырок в туннельных МОП структурах по сравнению с ''толстыми'' структурами. Изучено влияние ''выравнивания'' потенциала базы при инициации оже-процесса как на статические характеристики прибора, так и на переходной процесс установления коллекторного тока. Обсуждены условия наблюдения подавления оттеснения эмиттерного тока в оже-транзисторе, в частности влияние коллектороного напряжения.
  1. Н.С. Спиридонов. \it Основы теории транзисторов (Киев, "Техника", 1975)
  2. A.G. Milnes, D.L. Feucht. \it Metal-Semiconductor Junctions (N.Y. and London, Academic Press, 1972)
  3. И.В. Грехов, Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев, А.Ф. Шулекин. Письма ЖТФ, 17, 44 (1991)
  4. I.V. Grekhov, A.F. Shulekin, M.I. Vexler. Sol. Electron., 38, 1533 (1995)
  5. M.I. Vexler. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-42, 656 (1995)
  6. Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев. ФТП, 28, 1314 (1994)
  7. K.M. Chu, D.L. Pulfrey. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-35, 188 (1988)
  8. P.V. Dressendorfer, R.C. Barher. Appl. Phys. Lett., 36, 933 (1980)
  9. А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. \it Электроника слоев SiO2 на кремнии (Л., Изд-во ЛГУ, 1988)
  10. А.А. Гузев, Г.Л. Курышев, С.П. Синица. ФТП, 4, 2043 (1970)
  11. C. Chang, C. Hu, R. Brodersen. J. Appl. Phys., 57, 302 (1985)
  12. E. Cartier, M. Fishetti, E.A. Eklund, F.R. McFeely. Appl. Phys. Lett., 62, 3339 (1993)
  13. J. Bude, K. Hess, G.J. Iafrate. Phys. Rev. B, B45, 10958 (1992)
  14. Г.И. Атабеков. \it Теоретические основы электротехники (М.; Л., Энергия, 1966) ч. 1, гл. 11
  15. А.Н. Тихонов, А.А. Самарский. \it Уравнения математической физики (М., Наука, 1972)
  16. В.Н. Ивахно. ФТП, 6, 1612 (1972)
  17. E.R. Fossum, R.C. Barker. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-31, 1184 (1984)
  18. M.K. Moravvej-Farshi, M.A. Green. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-7, 513 (1986)
  19. J.G. Simmons, G.W. Taylir. Sol. St. Electron., 29, 287 (1986)
  20. T. Yoshimoto, K. Matsumoto, K. Sakamoto, T. Sakata. Jpn. J. Appl. Phys., 30, L2012 (1991)
  21. S.K. Lai, P.V. Dressebdorfer, T.P. Ma, R.C. Barker. Appl. Phys. Lett., 38, 41 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme