Вышедшие номера
Подавление эффекта оттеснения эмиттерного тока в оже-транзисторах
Белов С.В.1, Векслер М.И.1, Грехов И.В.1, Шулекин А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.

Исследовано подавление эффекта оттеснения эмиттерного тока в оже-транзисторе с туннельным МОП эмиттером на основе структуры Al/SiO2/n-Si. Выравнивание потенциала индуцированной базы вдоль эмиттера происходит за счет внутреннего источника неосновных носителей - оже-ионизации, вызываемой инжектируемыми электронами. Для количественного объяснения эффекта сделано предположение о более низкой подвижности дырок в туннельных МОП структурах по сравнению с ''толстыми'' структурами. Изучено влияние ''выравнивания'' потенциала базы при инициации оже-процесса как на статические характеристики прибора, так и на переходной процесс установления коллекторного тока. Обсуждены условия наблюдения подавления оттеснения эмиттерного тока в оже-транзисторе, в частности влияние коллектороного напряжения.