Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности фотолюминесценции гетероструктур In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As с двусторонним легированием

Цацульников А.Ф.¹, Устинов В.М.¹, Егоров А.Ю.¹, Жуков А.Е.¹, Максимов М.В.¹, Копьев П.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 23 ноября 1995 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.

PDF версия

Исследована низкотемпературная фотолюминесценция селективно легированных гетероструктур Angstrem, согласованных по параметру решетки с InP. Проведены идентификация полос фотолюминесценции и сопоставление результатов оптических исследований с данными анализа осцилляций Шубникова-де-Гааза, измеренных на этих структурах. Установлено, что при небольшом легировании буферного слоя ~10¹⁷ см³ в спектре фотолюминесценции возникает дополнительная полоса, которая обусловлена рекомбинацией электронов двумерного канала со свободными неравновесными дырками.

K.H. Dun, P.C. Chao, S.V. Liu, P. Ho, M.Y. Kao, J.M. Ballingall. IEEE Microwave and Guided Wave Lett., 1, N 5, 114 (1991)
L.D. Nguyen, A.S. Brown, M.A. Tompson, L.M. Jelloian. Microwave J., 36, 96 (1993)
В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, Н.Н. Фалеев, А.Ф. Цацульников, П.С. Копьев. ФТП, 29, 1442 (1995)
A.S. Brown, V.K. Mishra, J.A. Henige, M.J. Delaney. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 678 (1987)
M. Sugawara, T. Fujii, S. Yamazaki, K. Nakajima. Phys. Rev. B, 44, 1782 (1991)
Y.-H. Zhang, D.-S. Jiang, R. Cingolani, K. Ploog. Appl. Phys. Lett., 56, 2195 (1990)
F.F. Fang. Phys. Rev. Lett., 16, 797 (1966)
S. Mori. Phys. Rev. B, 19, 6433 (1979)
I.V. Kukushkin, K. von Klitzing, K. Ploog. Phys. Rev. B, 40, 7788 (1098)
S.K. Brierley, W.E. Hoke, P.S. Lyman, H.T. Hendriks. Appl. Phys. Lett., 59, 3306 (1991)
W.E. Hoke, P.S. Lyman, W.H. Labossier, S.K. Brierley, H.T. Hendriks, S.R. Skanfield, L.M. Aucoin, T.E. Kazior. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1066 (1992)
R. Atanasov, F. Bassani, A.D' Andrea, N. Tomassini. Phys. Rev. B, 50, 14 381 (1994)
A.F.S. Penna, J. Shan, A. Pinczuk, D. Sivco, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 46, 184 (1984)
Y. Nakata, S. Sasa, Y. Sugiyama, T. Fujii, S. Hiyamizu. Japan. J. Appl. Phys., 26, L59 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель