Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотопроводимость, фотомагнитный и магниторезистивный эффекты в полуизолирующем GaAs. Определение рекомбинационных параметров

Карпович И.А.¹, Степихова М.В.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 3 июля 1995 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.

PDF версия

Разработаны методики определения рекомбинационных параметров полуизолирующего GaAs на основе линейной теории фотопроводимости и фотомагнитного эффекта, а также подвижности основных фотоносителей - из магниторезистивного эффекта. Применимость линейной теории обеспечивается проведенеием фотоэлектрических измерений в малосигнальном режиме при достаточно интенсивной подсветке образца. Показана возможность значительного уменьшения рекомбинационной активности поверхности полуизолирующего GaAs методом гетероэпитаксиальной пассивации поверхности под слоем InGaP.

\it Полевые транзисторы на арсениде галлия, под ред. Д.В. Ди-Лоренцо, Д.Д. Канделуола (М., Радио и связь, 1988)
Ю.И. Равич. \it Фотомагнитный эффект в полупроводниках и его применение (М., Сов. радио, 1967)
S.S. Li, C.I. Huang. J. Appl. Phys., 43, 1757 (1972)
M.J. Papastamatiou, G.B. Papaioannou. J. Appl. Phys., 68, 1094 (1990)
И.А. Карпович, Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, Б.Н. Звонков, М.В. Степихова. ФТП, 27, 1736 (1993)
В.К. Субашиев. ФТП, 6, 1956 (1994)
П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1969)
L. Hrivnak, J. Betko. Phys. St. Sol. (b), 112, k143 (1982)
\it Оптические свойства полупроводников, под ред. Р. Уиллардсона, А. Бира (М., Мир, 1970)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель