С учетом хвоста плотности состояний основных носителей заряда показано, что сужение запрещенной зоны Delta E_g равно кулоновской энергии взаимодействия электрона и дырки на расстоянии (4/3)lambda, где lambda - длина экранирования электростатического поля. В условиях, когда среднеквадратичная флуктуация потенциальной энергии в слабо компенсированном полупроводнике много больше тепловой энергии, получена аппроксимация Delta E_g/E_B=2.9 (a_BN^1/3)^0.77, где E_B, a_B - боровские энергия и радиус определяются диэлектрической проницаемостью кристаллической решетки и эффективной массой плотности состояний основных носителей заряда, N - концентрация легирующей примеси. Расчеты согласуются с определенными по фотолюминесценции значениями Delta E_g для n-Si, p-Si, p-GaAs и p-GaSb в диапазоне 0.05=< a_BN^1/3=< 1.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.