"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизм быстрого роста прямого тока в полупроводниковых диодных структурах
Лейдерман А.Ю.1, Минбаева М.К.1
1Научно-производственное объединение ''Физика солнца'', Физико-технический институт Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 6 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.

Обсуждаются экспериментальные вольт-амперные характеристики типа I~ Valpha, полученные на диодных структурах, изготовленных на основе аморфного селена, Ga2S3, CdS-CdTe. Проведено моделирование характеристик на ЭВМ на основе дрейфового механизма омической релаксации прохождения прямого тока с учетом статистики рекомбинации электронов и дырок через глубокие рекомбинационные комплексы с конечным временем внутрикомплексного обмена.
  1. Г.Б. Абдуллаев, М.А. Талиби. \it Физика селеновых преобразователей (Баку, ЭЛМ, 1981)
  2. А.В. Симашкевич. \it Гетеропереходы на основе полупроводниковых соединений A^IIB^III (Кишинев, Штиинца, 1980)
  3. А.А. Чеснис. ФТП, 27, 848 (1993)
  4. Б.Т. Тагиев, О.Б. Тагиев, Г.А. Касимова. ФТП, 25, 1877 (1991)
  5. В.Е. Баранюк, В.П. Махний. ФТП, 25, 217 (1991)
  6. W. Shockley, W. Reed. Phys. Rev., 87, 835 (1952)
  7. Ю.В. Гуляев. ФТТ, 3, 385 (1961)
  8. А.В. Ржанов. ФТТ, 3, 3698 (1961)
  9. S.R. Dharival, L.S. Kothari, S. Jain. Sol. St. Electron., 24, 749 (1981)
  10. P.M. Karageorgy-Alkalaev, A.Yu. Leiderman. Phys. St. Sol. (a), 26, 419 (1968)
  11. P.M. Karageorgy-Alkalaev, A.Yu. Leiderman. Phys. St. Sol. (a), 100, 221 (1987)
  12. А.Ю. Лейдерман. ДАН УзССР, N 7, 21 (1987)
  13. А.Ю. Лейдерман. ДАН УзССР, N 4, 25 (1989)
  14. М.Г. Шейнкман, Н.Е. Корсунская. В кн.: \it Физика соединений AIIBIII (М., Наука, 1986) с. 109
  15. А.Ю. Лейдерман. ДАН УзССР, N 1, 24 (1989)
  16. Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. \it Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1978)
  17. К.Б. Толпыго, И.Г. Заславская. ЖТФ, 25, 955 (1955)
  18. М. Ламперт, П. Марк. \it Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  19. F.K. Dolezalek, W.E. Spear. J. Non-Cryst. Sol., 4, 97 (1970)
  20. А.Н. Зюганов, С.В. Свечников. \it Инжекционно-контактные явления в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
  21. С.В. Слободчиков, Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов. ФТП, 28, 1155 (1994)
  22. И.М. Аскеров, В.Ф. Кобелев, В.Ф. Мастеров, О.Б. Тагиев, К.Ф. Штельмах, Л.Ф. Лихолит. ФТП, 23, 1307 (1989)
  23. V. Lax. Phys. Rev., 119, 1502 (1960)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.