Вышедшие номера
Туннельная МДП структура при высокой плотности тока (режим обратного смещения)
Векслер М.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.

Рассмотрены физические процессы, определяющие поведение туннельной МДП структуры на основе n-кремния при высокой плотности тока. Впервые предложена целостная аналитическая модель, позволяющая рассчитывать вольт-амперные характеристики МДП структуры при большом напряжении на диэлектрике. Приведена ''классификация'' возможных вольт-амперных характеристик структур. Проанализировано влияние эффекта оже-ионизации полупроводника инжектированными носителями (в том числе при наличии сильного поля в полупроводнике). Проведены расчеты, иллюстрирующие зависимость вида характеристик прибора от уровня легирования подложки. Исследованы условия возникновения и характеристики так называемого ''включенного'' состояния, в котором потеря неосновных носителей из инверсного слоя происходит не только за счет туннелирования в металл, но и вследствие их диффузии в толщу полупроводника.