"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Туннельная МДП структура при высокой плотности тока (режим обратного смещения)
Векслер М.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.

Рассмотрены физические процессы, определяющие поведение туннельной МДП структуры на основе n-кремния при высокой плотности тока. Впервые предложена целостная аналитическая модель, позволяющая рассчитывать вольт-амперные характеристики МДП структуры при большом напряжении на диэлектрике. Приведена ''классификация'' возможных вольт-амперных характеристик структур. Проанализировано влияние эффекта оже-ионизации полупроводника инжектированными носителями (в том числе при наличии сильного поля в полупроводнике). Проведены расчеты, иллюстрирующие зависимость вида характеристик прибора от уровня легирования подложки. Исследованы условия возникновения и характеристики так называемого ''включенного'' состояния, в котором потеря неосновных носителей из инверсного слоя происходит не только за счет туннелирования в металл, но и вследствие их диффузии в толщу полупроводника.
  1. J.G. Simmons, G.W. Taylor. Sol. St. Electron., 29, 287 (1986)
  2. K.M. Chu, D.L. Fulfrey. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-35, 188 (1988)
  3. M.I. Vexler. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-42, 656 (1995)
  4. Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев. ФТП, 28, 1314 (1994)
  5. C.Y. Chang, S.J. Wang. Sol. St. Electron., 29, 339 (1986)
  6. T. Ando, A. Fowler, F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54, N 2, 1 (1982)
  7. C. Moglestue. J. Appl. Phys., 59, 3175 (1986)
  8. Z.A. Weinberg. Sol. St. Electron., 20, 11 (1977)
  9. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  10. C. Chang, C. Hu, R. Brodersen. J. Appl. Phys., 57, 302 (1985)
  11. W.E. Drummond, J.L. Moll. J. Appl. Phys., 42, 5556 (1971)
  12. I.V. Grekhov, A.F. Shulekin, M.I. Vexler. Sol. St. Commun., 87, 341 (1993)
  13. W.N. Grant. Sol. St. Electron., 16, 1189 (1973)
  14. E.R. Fossum, R.C. Barker. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-31, 1168 (1984)
  15. P.V. Dressendorfer, R.C. Barker. Appl. Phys. Lett., 36, 933 (1980)
  16. P.A. Ashburn, B. Soerowirdjo. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-31, 853 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.