Исследованные концентрации локальных уровней и поверхностных состояний в gamma-облученных МДП структурах
Колесников Н.В.1, Мальханов С.Е.1, Якименко А.Н.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 октября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.
Экспериментально методами емкостной спектроскопии и фотоемкости в gamma-облученных (60Co) структурах металл-диэлектрик-полупроводник (n-Si) исследованы радиационный дефект и поверхностные состояния. Концентрация поверхностных состояний слабо зависит, а концентрация радиационного дефекта существенно зависит от дозы облучения до 107 Рад.
- С. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) кн. 1
- Ю.В. Баринов, В.Н. Безбородко, В.В. Емельянов, В.С. Першенков. ФТП, \it 29, 323 (1995)
- С.В. Безлюдный, Н.В. Колесников, К.В. Санин, И.Н. Суриков, Р.Ю. Хансеваров, А.Н. Якименко и др. ФТП, 23, 1888 (1989)
- Н.В. Колесников, С.Е. Мальханов, М.А. Погарский. ФТП, 12, 1436 (1978)
- А.А. Лебедев, Н.А. Соболев, В. Экке. ФТП, 15, 1438 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук