"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследованные концентрации локальных уровней и поверхностных состояний в gamma-облученных МДП структурах
Колесников Н.В.1, Мальханов С.Е.1, Якименко А.Н.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 октября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.

Экспериментально методами емкостной спектроскопии и фотоемкости в gamma-облученных (60Co) структурах металл--диэлектрик--полупроводник (n-Si) исследованы радиационный дефект и поверхностные состояния. Концентрация поверхностных состояний слабо зависит, а концентрация радиационного дефекта существенно зависит от дозы облучения до 107 Рад.
  1. С. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) кн. 1
  2. Ю.В. Баринов, В.Н. Безбородко, В.В. Емельянов, В.С. Першенков. ФТП, \it 29, 323 (1995)
  3. С.В. Безлюдный, Н.В. Колесников, К.В. Санин, И.Н. Суриков, Р.Ю. Хансеваров, А.Н. Якименко и др. ФТП, 23, 1888 (1989)
  4. Н.В. Колесников, С.Е. Мальханов, М.А. Погарский. ФТП, 12, 1436 (1978)
  5. А.А. Лебедев, Н.А. Соболев, В. Экке. ФТП, 15, 1438 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.