"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Об инверсии горячих электронов в Ga 1- xAl xAs в сильных E normal H полях
Дзамукашвили Г.Э.1
1Тбилисский государственный университет им. И.А. Джавахишвили, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 13 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.

Показано, что в материалах, подобных Ga1-x Alx As, в случае динамического междолинного переноса горячих электронов кроме основного пика инверсии (существующего в сильном электрическом поле E), в поперечном магнитном поле ( H normal E) в их распределении появляется побочная область инверсии. Расположение этой области однозначно определяется отношением E/H и составом твердого раствора.
  1. А.А. Андронов, Г.Э. Дзамукашвили. ФТП, 19, 1810 (1985)
  2. S. Adachi. J. Appl. Phys., 53, R1 (1985)
  3. Г.Э. Дзамукашвили. ФТТ, 32, 676 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.