"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Захват и релаксация заряда на дефектах структуры в эпитаксиальном GaAs
Островский И.В.1, Сайко С.В.1
1Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 3 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.

С помощью методов переходного поперечного акустоэлектрического напряжения и переходной емкости на границе раздела в эпитаксиальных структурах n-GaAs/i-GaAs обнаружены глубокие ловушечные уровни с энергиями активации 0.54 и 0.48 эВ. Методом переходного поперечного акустоэлектрического напряжения определены времена релаксации и эффективные сечения захвата электронов для этих центров. Проведено сравнение двух методик --- непрерывный и импульсный режим измерения поперечного акустоэлектрического напряжения. Обе методики в пределах погрешности измерений дают одинаковые значения времени релаксации. Непрерывный режим измерений более удобен для определения малых времен релаксации (<1 мс); импульсный режим предпочтителен для определения больших времен релаксации (>1 мс).
  1. A. Chantre, G. Vinsent, D. Bios. Phys. Rev. B, 23, 5335 (1981)
  2. A. Cola, M.G. Lupo, L. Vasanelli, A. Valentini. Sol. St. Electron., 36, 785 (1993)
  3. H. Gilboa, P. Das. Surf. Sci., 62, 536 (1977)
  4. G.A. Baraff, M. Schluter. Phys. Rev. Lett., 55, 1327 (1985)
  5. G.A. Baraff, M. Schluter. Phys. Rev. B, 30, 1893 (1984)
  6. G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 191 (1977)
  7. A. Jorio, C. Rejeb, M. Parenteau, C. Carlone, M. Khanna Shyam. J. Appl. Phys., 74, 2310 (1993)
  8. R.B. Beall, R.C. Newman, J.E. Whitehouse, J. Woodhead. J.Phys. C: Sol. St. Phys., 18, 3273 (1985)
  9. J. Weber, G.D. Watkins. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18, L269 (1985)
  10. A. Abbate, K.J. Han, I.V. Ostrovskii, P. Das. Sol. St. Elrctron., 36, 697 (1993)
  11. И.В. Островский, С.В. Сайко, Р.К. Савкина. ФТП, 28, 796 (1994)
  12. Ю.В. Гуляев, А.М. Кмита, А.В. Медведь, В.П. Плесский, Н.Н. Шибанова, В.Н. Федорец. ФТТ, 17, 3505 (1975)
  13. А.В. Ржанов.\it Электронные процессы на поверхности полупроводников (М., Наука, 1971)
  14. K.J. Han. \it Electrical Characterization of Semiconductors Using Surface Acoustic Wave, Ph. D. Thesis (Rensseelar Polytechnic Institute, 1992)
  15. H.J. von Bardeleben, D. Stievenard, D. Deresmes, A.Huber, I.C. Bourgoin. Phys. Rev., 34, 7192 (1986)
  16. И.В. Островский, С.В. Сайко. Поверхность, вып. 10--11, 62 (1994)
  17. И.В. Островский, С.В. Сайко. ФТТ, 35, 1043 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.