"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование поверхностной рекомбинации в p- i- n-структурах на основе аморфного гидрированного кремния
Феоктистов Н.А.1, Певцов А.Б.1, Косарев А.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

Исследовано влияние поверхностной рекомбинации на фотоэлектрические характеристики структур на основе аморфного гидрированного кремния. Получены аналитические зависимости для фототока барьерных структур на основе a-Si : H, учитывающие вклад поверхностной рекомбинации и позволяющие определять величину эффективной скорости поверхностной рекомбинации. Выполнено исследование влияния параметров изготовления p-слоя и промежуточных обработок p-слоя между процессами нанесения p- и i- слоев на эффективную скорость поверхностной рекомбинации p-i-границы.
  1. \it Аморфные полупроводники и приборы на их основе, под ред. И. Хамакавы (М., Металлургия, 1986)
  2. D. Gutkowicz-Krusin. J. Appl. Phys., 52, 5370 (1981)
  3. M. Hack, M. Shur. J. Appl. Phys., 54, 5858 (1983)
  4. А.А. Андреев, Б.И. Гильман, Н.А. Феоктистов, В.Ю. Флоринский, Е.И. Теруков. ФТП, 17, 1869 (1983)
  5. H. Okamoto, H. Kida, S. Nonomura, Y. Hamakawa. Solar cells, 8, 317 (1983)
  6. W. Kusian, K.P. Ufert, H. Pfleiderer. \it Hydrogenated amorphous silicon, pt. 2 [Sol. St. Phen., 44--46, 823 (1995)]
  7. С.М. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.