"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Вольт-амперная характеристика n-p-p-=sup=-+-=/sup=--структур на основе твердого раствора кремний--германий, компенсированного хромом
Саидов А.С.1, Лейдерман А.Ю.1, Сапаев Б.1, Каражанов С.Ж.1, Сапаров Д.В.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 31 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.

Проведено исследование статистических токов n-p-p+-структур, изготовленных на основе твердого раствора кремний-германий, компенсированного хромом. Обнаружено, что ВАХ таких структур имеет участок сублинейного роста тока с напряжением V~ V0exp(JaW). Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения.
  1. A.Yu. Leiderman, P.M. Karageorgy-Alkalaev. Sol. St. Commun., 27, 339 (1978)
  2. П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. \it Глубокие примесные уровни в широкозонных полупроводниках (Ташкент, ФАН, 1971)
  3. Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. \it Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.