"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Применение электрохимических окисных пленок в технологии полупроводникового карбида кремния
Радованова Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 мая 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.

Сообщается о применении электрохимических окисных пленок для: 1) идентификации полярных (0001) и (0001) граней кристаллов карбида кремния, 2) выявления дефектов роста и неоднородностей легирования кристаллов и 3) декорирования механических нарушений от полировки. Для этих целей разработан простой способ формирования электрохимических окисных пленок на поверхности кристаллических пластинок. Его преимущество по сравнению с термическим окислением состоит в том, что не требуются длительные выдержки при высокой температуре и применение агрессивных реактивов, а получаемая информации, как правило, более детальна. Кроме того, электрохимическое окисление применяется в финишной обработке поверхности. Мы разработали способ электро-химико-механического полирования кристаллов SiC.
  1. W. von Munch, I. Pfaffeneder. J. Electrochem. Soc., 122, 642 (1975)
  2. J.A. Powell, J.B. Petit, J.N. Edgar, I.G. Jenknis, L.J. Matus, W.J. Choyke, L. Clemen, M. Yoganathan, J.W. Yang, P.Pirouz. Appl. Phys., 59, 183 (1991)
  3. I.A. Powell, J.B. Petit, J.H. Edgar, I.G. Jenkins, L.J. Matus. Appl. Phys., 59, 333 (1991)
  4. T. Matsumoto, J. Takahashi, T. Tamaki, T. Futagi, H. Mimura. Appl. Phys. Lett., 64, 226 (1994)
  5. J.S. Shor, J. Grimberg, B.-Z. Weiss, A.D. Kurtz. Appl. Phys. Lett., 62, 2836 (1993)
  6. A. Takazawa, T. Tamura, M. Yamada. Japan J. Appl. Phys., 32, 3148 (1993)
  7. М.И. Абаев, А.А. Вольфссон, М.И. Карклина, А.Г. Остроумов, В.В. Семенов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 15, 2232 (1979)
  8. Ю.А. Водаков, Б.С. Вчерашний, Е.И. Радованова. А.с. N 1353226 (1985)
  9. Ю.А. Водаков, Б.С. Вчерашний, А.О. Константинов, Е.И. Радованова. А.с. N 1679914 (1989)
  10. H.C. Evitts, H.W. Cooper, S.S. Flaschen. J. Electrochem. Soc., 111, 688 (1964)
  11. Ю. Лаухе, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 17, 254 (1981)
  12. A.A. Sitnikova, E.N. Mokhov, E.I. Radovanova. Phys. St. Sol. (a), 135, K45 (1993)
  13. V.J. Jennings. In: \it Silicon Carbide-1968. Proc. Int. Conf. on SiC, ed. by H.K.Henisch, R. Roy (University Park, Pensylvania, 1968) p. 199. [Рус. пер.: \it Карбид кремния, под ред. С.Н. Горина (М., Мир, 1972) с. 285]
  14. J.S. Shor, X.G. Zhang, M.N. Ruberto, R.M. Osgood. Springer Proc. in Physics, v. 56. \it Amorphous and Crystalline Silicon Carbide III, ed. by G.L. Harris, M.G. Spenser, C.Y. Yang, p. 191

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.