"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
W-дефект в n-InP
Пешев В.В.1, Смородинов С.В.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 23 января 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.

Исследован W-дефект в диодах Шоттки на основе n-InP, облученных электронами. Дефект создается только в области пространственного заряда и является ловушкой для 5 электронов. Выявлены две конфигурации дефекта, одна из которых, A, проявляет свойства центра с отрицательной корреляционой энергией. Преобразование A-конфигурации в метастабильную B-конфигурацию контролируется потерей двух электронов. Предположено, что W-дефект в B-конфигурации состоит из двух фрагментов, на которых локализованы соответственно один и два электрона.
  1. M. Levinson, M. Stavola, J.L. Benson, L.C. Kimerling Phys.Rev. B, 28, 5848 (1983)
  2. Т.И. Кольченко, В.М. Ломако, С.Е. Мороз. ЖПС, 50, 116 (1989)
  3. V.N. Brudnyi, V.V. Peshev, S.V. Smorodinov. Phys. St. Sol. (a), 114, K139 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.