Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Встраивание As в эпитаксиальные слои GaN при молекулярно-лучевой эпитаксии

Бер Б.Я.¹, Меркулов А.В.¹, Новиков С.В.¹, Третьяков В.В.¹, Ченг Т.С.¹, Фоксон С.Т.¹, Дженкинс Л.С.¹, Хупер С.Е.¹, Лаклисон Д.Е.¹, Ортон Д.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 12 сентября 1995 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

PDF версия

Вхождение As в эпитаксиальные слои GaN, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, было исследовано с использованием методов вторичной ионной масс-спектроскопии, оже-электронной спектроскопии, рентгеноспектрального микроанализа, растровой электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии. Было определено значение предельной растворимости As в GaN на уровне (1-2)· 10¹⁹ см^-3, что соответствует концентрации порядка 0.04 ат %.

S. Strite, H. Morkoc. J. Vac. Sci. Technol., B 10, 1237 (1992)
R.B. Davis. IEEE Proceedings, 79, 702 (1991)
T.S. Cheng, L.C. Jenkins, S.E. Hooper, C.T. Foxon, J.W. Orton, D.E. Lacklison. Appl. Phys. Lett., 66, 1509 (1995)
L.C. Jenkins, T.S. Cheng, C.T. Foxon, J.W. Orton, S.E. Hooper, S.V. Novikov, V.V. Tret'yakov. J. Vac. Sci. Technol., B 13, 1585 (1995)
J.W. Orton, D.E. Lacklison, N. Baba-Ali, C.T. Foxon, T.S. Cheng, S.V. Novikov, D.F.C. Johnston, S.E. Hooper, L.C. Jenkins, L.J. Challis, T.L. Tanasley. J. Electron. Mater., 24, 263 (1995)
S.V. Novikov, C.T. Foxon, T.S.Cheng, T.L. Tansley, J.W. Orton, D.E. Lacklison, D. Johnston, N. Baba-Ali, S.E. Hooper, L.C. Jenkins, L. Eaves. J. Cryst. Growth, 146, 340 (1995)
C.T. Foxon, T.S. Cheng, S.V. Novikov, D.E. Lacklison, L.C. Jenkins, D. Johnston, J.W. Orton, S.E. Hooper, N. Baba-Ali, T.L. Tansley, V.V. Tret'yakov. J. Cryst. Growth, 150, 892 (1995)
M. Weyers, M. Sato, H. Ando. Japan. J. Appl. Phys., 31, L853 (1992)
M. Kondow, K. Uomi, K. Hosomi, T. Mozume. Japan. J. Appl. Phys., 33, L1056 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель