"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Двойное антипересечение локализованной оптической моды с двумя близкими экситонными резонансами в полупроводниковом микрорезонаторе
Калитеевский М.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 августа 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

Методом матриц переноса рассчитаны спектры отражения света при нормальном и наклонном падении от полупроводникового микрорезонатора, содержащего в полости резонатора две квантовые ямы, в которых резонансные частоты экситонных переходов различаются. Показано, что взаимодействие локализованной оптической моды с двумя экситонными резонансами приводит к трехмодовому поведению в спектрах отражения и двойному антипересечению в дисперсионных кривых.
  1. C. Weisbouch, M. Nishioka, A. Ishikava, Y. Arakawa. Phys. Rev. Lett., 69,3314 (1992)
  2. R. Houdre, R.P. Stanley, U. Oesterle, M. Ilgems, C. Weisbouch. Phys. Rev. B, 49, 16761 (1994)
  3. J. Tignon, P. Voisin, C. Delande, M. Voos, R. Houdre, U. Oesterle, R.P. Stanley. Phys. Rev. Lett., 74, 3967 (1994)
  4. A.V. Kavokin, M.A. Kaliteevski. Sol. St. Commun., 95, 859 (1995)
  5. E.L. Ivchenko, M.A. Kaliteevski, A.V. Kavokin, N.A. Nesvihzskii. JAOS [The Features Issue, ed, by L.S. Citrin, J. Kuhl] (in press) (1995)
  6. V.Savona, L.C. Andreani, P.S. Schwendimann, A. Quatropani. Sol. St. Commun., 93, 733 (1995)
  7. Е.Л. Ивченко, А.В. Кавокин. ФТТ, 34,1815 (1992)
  8. М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1970) с 77
  9. Х. Кейси, М. Паниш. \it Лазеры на гетероструктурах (М., Наука, 1981) т. 1, с. 61
  10. В.В. Евстропов, М.А. Калитеевский, А.Л. Липко, М.А. Синицын, Ю.М. Шерняков, Б.В. Царенков, Б.С. Явич. ФТП (в печати) (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.