"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Чисто зеленая (lambda= 555 нм) люминесценция эпитаксиальных слоев GaP:Y
Гореленок А.Т.1, Шпаков М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

Показано, что легирование растворов--расплавов иттрием при жидкофазной эпитаксии позволяет получать слои n-GaP, а легирование растворов--расплавов иттрием + магнием --- слои p-GaP с фотолюминесценцией в чисто зеленой (lambda=555 нм) области спектра при 300 K. Светоизлучающие p-n-структуры на основе таких слоев показывают электролюминесценцию также в чисто зеленой области спектра при 300 K. Чисто зеленая люминесценция объясняется существенным снижением донорного фона элементов VI группы и в первую очередь кислорода и серы.
  1. А.Э. Юнович. В сб.: \it Излучательная рекомбинация в полупроводниках (М., Наука, 1972) С. 224
  2. А.Т. Гореленок, В.Г. Груздов, Кумар Ракеш, В.В. Мамутин, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 22, 35 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.