"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности нелинейного отражения электромагнитных волн от многослойной структуры, связанные с разогревом электронного газа в легированном слое n-GaAs
Воронко А.И.1, Куменков С.Е.2, Шкерлин Г.Н.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
2Джамбульский технологический институт,, Джамбул, Казахстан
Поступила в редакцию: 3 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.

Рассмотрено влияние разогрева электронного газа в легированном слое n-GaAs под воздействием электромагнитной волны на нелинейное отражение от многослойной структуры. Показано, что разогрев электронного газа в сильно легированном слое GaAs приводит к переходу части носителей заряда из основного (Gamma) минимума в боковые (L) минимумы и вследствии этого к появлению достаточно сильной и быстрой оптической нелинейности, которая может обеспечить оптическую модуляцию коэффициента отражения на пикосекундных временах в диапазоне длин волн порядка 10 мкм. По величине и быстродействию данная нелинейность сравнима с нелинейностью на внутризонных переходах в InSb и могла бы быть использована для разработки устройств быстрой модуляции электромагнитного излучения. При этом интенсивность электромагнитной волны, требуемая для эффективной модуляции коэффициента отражения от многослойной структуры, может быть существенно снижена.
  1. M.B. Pande, S. Dutta Gupta. Opt. Lett., 15, 944 (1990)
  2. M.F. Krol,R.K. Bonek. In: \it Technical Digest on Quantum Optoelectronics (Palm Springs, California, 1993) v. 8, p. 70
  3. E. Rosenberg, P. Bois, J. Nagle, E. Costard, S. Delaitre. Appl. Phys. Lett., 55, 1597 (1989)
  4. M.M. Fejer, S.J.B. Loo, R.L. Byer, A. Harwit, J.S. Harris. Phys. Rev. Lett., 62, 1041 (1989)
  5. Х. Гиббс. Оптическая бистабильность (М., Наука, 1988)
  6. Е.А. Андроник, Р.И. Енжаков, И.Н. Сисакян, А.Б. Шварцбург, А.В. Шепелев. Квант. электрон., 17, 247 (1990)
  7. J. Stiens, R. Vounckx, A. Voronko, G. Shkerdin. \it Photonics Switching, ed. by A.Goncharenko, F.Karpushko, G.Sinitsyn, S.Apanasevich (SPIE, 1992) v. 1807, p. 241
  8. J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
  9. Э. Конуэлл. \it Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях (М., Мир, 1970)
  10. С.Е. Кумеков, В.И. Перель. ЖЭТФ, 94, 346 (1988)
  11. Kim Dai-sik, P.Y.Yu. Phys. Rev. Lett., 64, 946 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.