"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние легирования фосфором на диффузию олова в пленках a-Si : H
Куликов Г.С.1, Ходжаев К.Х.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1995 г.

Радиоактивным методом исследована диффузия олова в нелегированном и легированном фосфором аморфном гидрированном кремнии (a-Si : H) в интервале температур 350--500 oC. Установлено, что по мере увеличения степени легирования диффузия олова замедляется. Определены температурные зависимости коэффициента диффузии олова в нелегированном материале и легированном фосфором в концентрации 8· 1019, 3· 1020 и 8· 1020 см-3. По данным электропереноса олово мигрирует в виде положительных ионов с эффективным зарядом ~ 0.5 e (e --- заряд электрона).
  1. A. Maden, T.J. Mc-Mahon. Solar Cells, 13, 265 (1985)
  2. J. Tokada, M. Yamaguchi, N. Fukada et al. Japan. J. Appl. Phys., 26, 889 (1987)
  3. М.С. Аблова, Г.С. Куликов, С.К. Першеев, К.Х. Ходжаев. ФТП, 24, 1943 (1990)
  4. К.Х, Ходжаев, К.П. Абдурахманов, Ю.Я. Амиров, В.А. Дидик, Г.С. Куликов, Е.И. Теруков, Д.П. Уткин-Эдин. ФТП, 19, 1182 (1985)
  5. К.Х, Ходжаев, К.П. Абдурахманов, Ю.Я. Амиров, Г.С. Куликов, Е.И. Теруков, Д.П. Уткин-Эдин. ФТП, 19, 2219 (1985)
  6. М.Kh. Kudoyarova, G.S. Kulikov, E.I. Terukov, K.Kh. Khodzhaev. J. Non-Cryst. Sol. 90, 211 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.