"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Разогревная неустойчивость при генерации фотоносителей в потенциальной яме P- i- N-гетероструктуры
Рывкин Б.С.1, Сурис Р.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.
Теоретически исследована разогревная неустойчивость, возникающая при генерации фотоносителей в потенциальной яме, локализованной в i-слое обратно смещенной P-i-N-гетероструктуры. Показано, что эффективная температура фотоносителей и соответствующие времена выброса из ямы бистабильным образом зависят от напряжения на ней. Указанные зависимости приводят в конечном счете к неустойчивости фототока структуры и напряжения на яме от падающей на структуру световой мощности.
  1. E. Garmire, N.M. Yokerst, A. Kost, A. Danner, P.D. Dapkus. J. Opt. Soc. Amer, B, 6, 579 (1989)
  2. Optical and Quant. Electron., 22, S1 (1990)
  3. Д.М. Бутусов, Г.Г. Гоцадзе, Б.С. Рывкин, Р.А. Сурис. ФТП, 24, 1062 (1990)
  4. Y. Kan, K. Obata, M. Yamanishi, Y. Funahashi, Y. Sakata, Y. Yamaoka, I. Suemune. Japan. J. Appl. Phys., 28, L1585 (1989)
  5. G. Hayashi, S. Kodama, Y. Yamaoka, A. Takano, K. Hirakimoto, Y. Lee, M. Yamanishi. IEEE J. Quant. Electron., 29, 2655 (1993)
  6. S. Knigge, S. Zumkley, G. Wingen, O. Hambach, C. Chaix, D. Jager. Microelectr. Engin., 19, 53 (1992)
  7. A.L. Ivanov, H. Haug. J. Appl. Phys., 76, 2522 (1994)
  8. Э. Конуэлл. \it Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях (М., Мир, 1970)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.