Разогревная неустойчивость при генерации фотоносителей в потенциальной яме P- i- N-гетероструктуры
Рывкин Б.С.1, Сурис Р.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.
Теоретически исследована разогревная неустойчивость, возникающая при генерации фотоносителей в потенциальной яме, локализованной в i-слое обратно смещенной P-i-N-гетероструктуры. Показано, что эффективная температура фотоносителей и соответствующие времена выброса из ямы бистабильным образом зависят от напряжения на ней. Указанные зависимости приводят в конечном счете к неустойчивости фототока структуры и напряжения на яме от падающей на структуру световой мощности.
- E. Garmire, N.M. Yokerst, A. Kost, A. Danner, P.D. Dapkus. J. Opt. Soc. Amer, B, 6, 579 (1989)
- Optical and Quant. Electron., 22, S1 (1990)
- Д.М. Бутусов, Г.Г. Гоцадзе, Б.С. Рывкин, Р.А. Сурис. ФТП, 24, 1062 (1990)
- Y. Kan, K. Obata, M. Yamanishi, Y. Funahashi, Y. Sakata, Y. Yamaoka, I. Suemune. Japan. J. Appl. Phys., 28, L1585 (1989)
- G. Hayashi, S. Kodama, Y. Yamaoka, A. Takano, K. Hirakimoto, Y. Lee, M. Yamanishi. IEEE J. Quant. Electron., 29, 2655 (1993)
- S. Knigge, S. Zumkley, G. Wingen, O. Hambach, C. Chaix, D. Jager. Microelectr. Engin., 19, 53 (1992)
- A.L. Ivanov, H. Haug. J. Appl. Phys., 76, 2522 (1994)
- Э. Конуэлл. \it Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях (М., Мир, 1970)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
