"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Процессы образования и отжига радиационных дефектов в p-Si<P,Pt>
Юнусов М.С.1, Ахмадалиев А.1, Сабиров С.С.1
1Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана,, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 4 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.

Приведены результаты исследования процессов образования и отжига радиационных дефектов, введенных при облучении быстрыми нейтронами атомного реактора в p-Si < P,Pt>. Показано, что при радиационно-термическом воздействии в p-Si<P,Pt> формируются ранее не наблюдавшиеся центры, обусловленные присутствием платины.
  1. И.С. Юнусов и др. \it Физические свойства облученного кремния (Ташкент, Фан, 1987)
  2. А.А. Лебедев, Н.А. Соболев, Б.М. Урунбаев. ФТП, 15, 1519 (1981)
  3. С.А. Азимов, Л.И. Исламов, Н.А. Султанов. ФТП, 8, 1169 (1974)
  4. Y.K. Kwon, T. Ishikawa, H. Kuwano. J. Appl. Phys., 61, 1055 (1987)
  5. A.O. Evwaraye, E. Sun. J. Appl. Phys., 47, 3172 (1976)
  6. Ю.А. Зибуц, Л.Г. Парицкий, С.М. Рывкин, Ж.Г. Дохолян. ФТТ, 8, 2549 (1966)
  7. Ф.П. Коршунов, Г.В. Гатальский, Г.М. Иванов. \it Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах (Минск, Наука и техника, 1978)
  8. \it Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С.Смиронова (Новосибирск, Наука, 1980)
  9. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. \it Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.