"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Трансформация радиационных дефектов и их скопление при имплантации ионов B+ в кремнии
Антонова И.В.1, Шаймеев С.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 18 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.

Проведено исследование кинетики накопления и трансформации радиационных дефектов при имплантации ионов B+ с энергией 135 кэВ в n-кремний в интервале доз 1011/3· 1013 см-2. Экспериментально обнаружены качественные изменения в DLTS-спектрах электрически активных дефектов в запрещенной зоне кремния, а именно: а) появление новых пиков - ловушек для неосновных носителей заряда с аномально большим сечением захвата, возрастающим по мере набора дозы ионов; б) увеличение расчетных значений энергии уровней радиационных дефектов (A-центров, E-центров, дивакансий) при одновременном возрастании сечения захвата носителей заряда на них; в) возникновение потенциального барьера для захвата основных носителей заряда на центры. Эти изменения связываются с процессами роста и трансформации дефектных областей. Показано, что пространственное разделение подвижных точечных дефектов играет определяющую роль в кинетике роста крупных дефектных скоплений, их формирование существенно зависит от примесного состава кристалла, причем наличие примесей, активно взаимодействующих с подвижными точечными дефектами, повышает дозу, при которой происходит качественная трансформация радиационных дефектов. В частности, в материалах Si-CZ (получение методом Чохральского) и Si-FZ (получение методом бестигельной зонной плавки) эти дозы составляют 3·1012 и 3·1011 см-2 соответственно.
  1. Ф.Ф. Комаров, А.П. Новиков, В.С. Соловьев, С.Ю. Ширяев. \it Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии. (Минск, 1990)
  2. R.J. Schreutelkamp, J.S. Custer, J.R. Liefting, W.X. Lu, F.W. Saris. Mater. Sci. Reports, 6, 275 (1991)
  3. D.A. Thompson. Rad. Eff., 56, 105 (1981)
  4. А.В. Васильев, И.А. Копшик, С.А. Смагулова, М.А. Цвайгерт, С.С. Шаймеев. ФТП, 17, 1155 (1987)
  5. I.H. Wilson, N.J. Zheng, U. Knipping, I.S.T. Tsong. Phys. Rev. B, 38, 8444 (1988)
  6. J. Narayan, D. Fathy, O.S.Oen, O.W. Holland. Mater. Latt., 2, 211 (1984)
  7. И.В. Антонова, А.В. Васильев, В.И. Панов, С.С. Шаймеев. ФТП, 23, 1519 (1989)
  8. И.В. Антонова, С.С. Шаймеев. ФТП, 24, 1240 (1990)
  9. И.В. Антонова, А.В. Васильев, В.И. Панов, С.С. Шаймеев. ФТП, 23, 1076 (1989)
  10. L.C. Kimerling. In: \it Radiation Effects in Semiconductors. Inst. Phys. Conf. Ser. 31 (London--Bristal, 1977), p. 221
  11. V.D. Akhmetov, V.V. Bolotov, L.S. Smirnov, V.A. Kharchenko. Phys. St. Sol. (a), 75, 601 (1983)
  12. П.В. Кучинский, В.М. Ломако, Л.Н. Шахлевич. ФТП, 22, 1213 (1988)
  13. А.В. Васильев, С.А. Смагулова, С.С. Шаймеев. ФТП, 16, 1983 ((1982)
  14. Л.С. Берман, В.Б. Воронков, А.Д. Ременюк, М.Р. Толстобров. ФТП, 21, 140 (1987)
  15. В.В. Болотов, В.Н. Спиридонов, В.М. Эмексузян. Поверхность, вып. 8, 49 (1988)
  16. D.V. Lang, H.G. Grimmeiss, E. Jaros, E. Meijer. Phys. Rev. B, 22, 3917 (1980)
  17. И.В. Антонова, А.В. Васильев, В.И. Панов, С.С. Шаймеев. ФТП, 23, 253 (1989)
  18. J.R. Ayres, S.D. Brotherton. J. Appl. Phys., 76(6), 2702 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.