"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поляризация сверхлюминесценции и анизотропия оптических потерь в волноводной структуре InGaP/GaAs/InGaP
Алешкин В.Я.1, Ахлестина С.А.2, Звонков Б.Н.2, Звонков Н.Б.2, Линькова Е.Р.2, Малкина И.Г.2, Сафьянов Ю.Н.2, Ревин Д.Г.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 6 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.

Проведены структурные исследования и изучены сверхлюминесценция и стимулированное излучение в лазерных структурах InGaP/GaAs/InGaAs/GaAs/InGaP, в которых InGaP играет роль широкозонного материала, а активной областью является квантовая яма InGaAs. Обнаружено, что потери в волноводе в спектральной области вблизи 1 мкм сильно зависят от направления распространения излучения. Анизотропия волновода зависит от знака рассогласования решеток твердого раствора и подложки. Показано, что наблюдаемая поляризация сверхлюминесценции обусловлена зависимостью рассеяния излучения от направления распространения волноводной моды.
  1. D.P. Bour, T.L. Paoli, R.L. Tornton, D.W. Treat, Y.S. Park, P.S. Zory. Appl. Phys. Lett., 62, 3458 (1993)
  2. B.N. Zvonkov, N.B. Zvonkov, I.G. Malkina, G.A. Maximov, I.A. Avrutsky, A.V. Vasil'ev, E.M. Dianov, A.M. Prokhorov. Soviet Lightwave Commun., 3, 71 (1993)
  3. A. Gomio, K. Kobayashi, S. Kawata, I. Hino, T. Suzuki, T. Yuasa. J. Cryst. Growth, 77, 367 (1986)
  4. O. Ueda, M. Takikawa, J. Komeno, I. Umebu. Japan. J. Appl. Phys., 26, L1824 (1987)
  5. Y. Ueno. Appl. Phys. Lett., 64, 553 (1993)
  6. Sh. Iida, K. Ito. J. Electrochem. Soc., 118, 768 (1971)
  7. E.A. Caridi, T.Y. Chang. J. Electrochem. Soc., 131, 1440 (1984)
  8. И.Ф. Михайлов, О.Г. Алавердова, М.Я. Фукс. Зав. лаб., 46, 27 (1980)
  9. В.Я. Алешкин, З.Ф. Красильник, Д.Г. Ревин. ФТП, 27, 1190 (1993)
  10. S. Jorda, U. Rossler. Superlatt. Microstruct., 8, 481 (1990)
  11. T.R. Chen, L.E. Eng, Y.H. Zhuang, A. Yariv. Appl. Phys. Lett., 56, 1002 (1990)
  12. Х. Кейси, М. Паниш. \it Лазеры на гетероструктурах (М., 1981) т. 1
  13. J.M. Kuo, J.K. Chen, M.C. Wu, M.A. Chin. Appl. Phys. Lett., 59, 2781 (1991)
  14. G. Zhang, J. Nappi, K. Vanthen, H. Asonen, M. Pessa. Appl. Phys. Lett., 61, 96 (1992)
  15. K. Mobarhan, M. Raseghi, G. Marquebille, E. Vassilaki. J. Appl. Phys., 72, 4447 (1992)
  16. S.H. Groves, J.N. Walpole, L.J. Missagia. Appl. Phys. Lett., 61, 255 (1992)
  17. S.H. Groves. J. Cryst. Growth., 124, 747 (1992)
  18. G. Zhang, J. Nappi, A. Ovthinnikov, H. Asonen, M. Pessa. J. Appl. Phys., 72, 3788 (1992)
  19. M.C. de Lond, P.S. Taylor, J.M. Olson. J. Vac. Sci. Technol. B, 8, 948 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.