"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние имплантации Si+ на свойства аморфного гидрированного кремния
Голикова О.А.1, Мавлянов Х.Ю.1, Петров И.Н.1, Яфаев Р.Р.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.

Приводятся результаты исследования влияния имплантации Si+ на концентрацию дефектов (ND), параметр Урбаха (Eu) и положение уровня Ферми (varepsilonF) в аморфном гидрированном кремнии (a-Si:H). Показано, что с ростом дозы имплантации достигается насыщение концентрации дефектов на уровне ~1017 см-3 при одновременном возрастании Eu. Показано также, что имплантация Si+ не влияет на varepsilonF ''собственного'' a-Si:H.
  1. О.А. Голикова. ФТП, 25, 915 (1991)
  2. O.A. Golikova, M.M. Kazanin, R.G. Ikramov. J. Non-Cryst. Sol., 164--166, 395 (1993)
  3. А.Г. Казанский, А.С. Король, Е.П. Миличевич, М.В. Чукичев. ФТП, 20, 1594 (1986)
  4. M. Stutzmann. Phil. Mag. B, 60, 5318 (1989)
  5. У. Шнайдер, Б. Шредер. В кн.: \it Аморфный кремний и родственные материалы, под ред. Х.Фрицше (М., Мир, 1991) с. 290
  6. R. Gallone, Y.S. Tsuo, D.W. Baker, F. Zignane. J. Non-Cryst. Sol., 114, 271 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.