Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние имплантации Si⁺ на свойства аморфного гидрированного кремния

Голикова О.А.¹, Мавлянов Х.Ю.¹, Петров И.Н.¹, Яфаев Р.Р.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 3 августа 1994 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приводятся результаты исследования влияния имплантации Si⁺ на концентрацию дефектов (N_D), параметр Урбаха (E_u) и положение уровня Ферми (varepsilon_F) в аморфном гидрированном кремнии (a-Si:H). Показано, что с ростом дозы имплантации достигается насыщение концентрации дефектов на уровне ~10¹⁷ см^-3 при одновременном возрастании E_u. Показано также, что имплантация Si⁺ не влияет на varepsilon_F ''собственного'' a-Si:H.

О.А. Голикова. ФТП, 25, 915 (1991)
O.A. Golikova, M.M. Kazanin, R.G. Ikramov. J. Non-Cryst. Sol., 164--166, 395 (1993)
А.Г. Казанский, А.С. Король, Е.П. Миличевич, М.В. Чукичев. ФТП, 20, 1594 (1986)
M. Stutzmann. Phil. Mag. B, 60, 5318 (1989)
У. Шнайдер, Б. Шредер. В кн.: \it Аморфный кремний и родственные материалы, под ред. Х.Фрицше (М., Мир, 1991) с. 290
R. Gallone, Y.S. Tsuo, D.W. Baker, F. Zignane. J. Non-Cryst. Sol., 114, 271 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель