"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Баллистические токи в тонких полупроводниковых пленках
Вагидов Н.З.1, Грибников З.С.1, Коршак А.Н.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 19 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Рассчитан ограниченный пространственным зарядом баллистический ток через нелегированные проводящие слои, соединяющие друг с другом массивные катод и анод. Показано, что этот ток целиком определяется распределением потенциала в области эффективного катода, тогда как в остальном пространстве электрическое поле почти однородно и при заданном токе не зависит от расстояния между электродами. Зависимость тока от среднего поля имеет сублинейный характер и при определенных условиях содержит протяженные ''вторые'' линейные участки с проводимостью, более низкой, чем омическая при малых напряжениях. В отличие от случая выполнения стандартного закона 3/2 имеет место сильная температурная зависимость тока, а также его зависимость от эмиссионной способности катода.
  1. J.A. Geurst. Phys. St. Sol., 15, 107 (1966)
  2. A.A. Grinberg, S. Luryi, M.R. Pinto, N.L. Schryer. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf 36, 1162 (1989)
  3. S. Luryi. In: High Speed Semiconductor Devices, ed. by S.M. Sze (N.Y., John Willey and Sons, 1990) p. 57
  4. А.А. Суханов, В.Б. Сандомирский, Ю.А. Ткач. ФТП, \bf 17, 2156 (1983)
  5. А.А. Суханов, Ю.А. Ткач. ФТП, \bf 18, 1277 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.