Вышедшие номера
Баллистические токи в тонких полупроводниковых пленках
Вагидов Н.З.1, Грибников З.С.1, Коршак А.Н.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 19 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Рассчитан ограниченный пространственным зарядом баллистический ток через нелегированные проводящие слои, соединяющие друг с другом массивные катод и анод. Показано, что этот ток целиком определяется распределением потенциала в области эффективного катода, тогда как в остальном пространстве электрическое поле почти однородно и при заданном токе не зависит от расстояния между электродами. Зависимость тока от среднего поля имеет сублинейный характер и при определенных условиях содержит протяженные ''вторые'' линейные участки с проводимостью, более низкой, чем омическая при малых напряжениях. В отличие от случая выполнения стандартного закона 3/2 имеет место сильная температурная зависимость тока, а также его зависимость от эмиссионной способности катода.