"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Баллистические токи в тонких полупроводниковых пленках
Вагидов Н.З.1, Грибников З.С.1, Коршак А.Н.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 19 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Рассчитан ограниченный пространственным зарядом баллистический ток через нелегированные проводящие слои, соединяющие друг с другом массивные катод и анод. Показано, что этот ток целиком определяется распределением потенциала в области эффективного катода, тогда как в остальном пространстве электрическое поле почти однородно и при заданном токе не зависит от расстояния между электродами. Зависимость тока от среднего поля имеет сублинейный характер и при определенных условиях содержит протяженные ''вторые'' линейные участки с проводимостью, более низкой, чем омическая при малых напряжениях. В отличие от случая выполнения стандартного закона 3/2 имеет место сильная температурная зависимость тока, а также его зависимость от эмиссионной способности катода.
  • J.A. Geurst. Phys. St. Sol., 15, 107 (1966)
  • A.A. Grinberg, S. Luryi, M.R. Pinto, N.L. Schryer. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf 36, 1162 (1989)
  • S. Luryi. In: High Speed Semiconductor Devices, ed. by S.M. Sze (N.Y., John Willey and Sons, 1990) p. 57
  • А.А. Суханов, В.Б. Сандомирский, Ю.А. Ткач. ФТП, \bf 17, 2156 (1983)
  • А.А. Суханов, Ю.А. Ткач. ФТП, \bf 18, 1277 (1984)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.