Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Возникновение двойных связей кремний--кремний в пленках a--Si:H, облученных неоном и углеродом при отжиге

Хохлов А.Ф.¹, Павлов Д.А.¹, Машин А.И.¹, Хохлов Д.А.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 22 марта 1994 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние отжига на параметры структуры ближнего порядка пленок гидрогенизированного аморфного кремния a-Si:H, облученных ионами C⁺ и Ne⁺ с энергией 40 кэВ и дозами 10¹⁴, 10¹⁵ и 10¹⁶ см^-2. Обсуждаются эффекты, связанные со снижением координационных чисел и образованием кратных связей в процессе испарения водорода из a-Si:H. Влияние примесей сводится к изменению температуры перехода к низкокоординированной структуре и повышению температуры рекристаллизации.

R. Janoschek. Chem. unserer Zeit, 21, 128 (1988)
R. West, M.J. Fink, J. Michl. Science, 214, 1343 (1981)
G. Raabe, J. Michl. Chem. Rev., 85, 419 (1985)
А.Ф. Хохлов, В. Байер, Д.А. Павлов, Г. Вагнер. Высокочистые вещества, вып. 3, 79 (1991)
А.Ф. Хохлов, В. Байер, Д.А. Павлов, Г. Вагнер. Высокочистые вещества, вып. 4, 183 (1991)
W. Beyer. In:\it Tetrahedrally-Bonded Amorphous Semiconductors, ed. by D. Adler, H. Fritzsche (N.Y., Plenum Press, 1985) p. 129
Б.К. Вайнштейн. Кристаллография, 2, 29 (1957)
Н.Е. Мотт, Е.А. Дэвис. \it Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1
В.Н. Гордеев, А.И. Попов, В.И. Филиков. Изв. РАН, Неорг. матер., \bf 16, 1733 (1980)
D.A. Pavlov, A.F. Khokhlov, R.V. Kudryavtseva, A.V. Ershov. Phys. St. Sol. (a), \bf 116, 697 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель