"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Возникновение двойных связей кремний--кремний в пленках a--Si:H, облученных неоном и углеродом при отжиге
Хохлов А.Ф.1, Павлов Д.А.1, Машин А.И.1, Хохлов Д.А.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.

Исследовано влияние отжига на параметры структуры ближнего порядка пленок гидрогенизированного аморфного кремния a-Si:H, облученных ионами C+ и Ne+ с энергией 40 кэВ и дозами 1014, 1015 и 1016 см-2. Обсуждаются эффекты, связанные со снижением координационных чисел и образованием кратных связей в процессе испарения водорода из a-Si:H. Влияние примесей сводится к изменению температуры перехода к низкокоординированной структуре и повышению температуры рекристаллизации.
  1. R. Janoschek. Chem. unserer Zeit, 21, 128 (1988)
  2. R. West, M.J. Fink, J. Michl. Science, 214, 1343 (1981)
  3. G. Raabe, J. Michl. Chem. Rev., 85, 419 (1985)
  4. А.Ф. Хохлов, В. Байер, Д.А. Павлов, Г. Вагнер. Высокочистые вещества, вып. 3, 79 (1991)
  5. А.Ф. Хохлов, В. Байер, Д.А. Павлов, Г. Вагнер. Высокочистые вещества, вып. 4, 183 (1991)
  6. W. Beyer. In:\it Tetrahedrally-Bonded Amorphous Semiconductors, ed. by D. Adler, H. Fritzsche (N.Y., Plenum Press, 1985) p. 129
  7. Б.К. Вайнштейн. Кристаллография, 2, 29 (1957)
  8. Н.Е. Мотт, Е.А. Дэвис. \it Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1
  9. В.Н. Гордеев, А.И. Попов, В.И. Филиков. Изв. РАН, Неорг. матер., \bf 16, 1733 (1980)
  10. D.A. Pavlov, A.F. Khokhlov, R.V. Kudryavtseva, A.V. Ershov. Phys. St. Sol. (a), \bf 116, 697 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.